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FTIR傅里叶红外在硅材料分析中的应用(傅里叶红外)

作者:投稿用户     更新时间:2025-11-09     热度:259
内容摘要:FTIR傅里叶红外在硅材料分析中的应用(傅里叶红外)学会FTIR650红外光谱仪测试硅材料中碳氧含量的方法;二.实验仪器FTIR650型傅立叶变换红外光谱仪,标准硅样品,多个测试硅样品等三.实验原理单晶硅材料可以用于制造太阳能电池、半导体器件等

FTIR傅里叶红外在硅材料分析中的应用用于超高灵敏度硅材料质量控制分析的分析仪CryoSAS 是一款低温硅材料分析仪,可用于太阳 能和电子硅行业的超高灵敏度质量控制。它可以同时定量分析碳、氧以及浅层杂质(如硼、磷、砷等)。

FTIR傅里叶红外在硅材料分析中的应用(傅里叶红外)

FTIR傅里叶红外在硅材料分析中的应用(傅里叶红外)

根据ASTM/SEMI标 准,CryoSAS操作简便,无需液氦等制冷剂。相比于传统的湿 化学分析法,CryoSAS更为快速、灵敏,并且对样品没有任何 损害。

对单晶硅中所含的第三、五族杂质(硼、磷、砷、铝、镓、锑) 的定量分析,检出限达ppta量级。

多晶或单晶硅中代位碳的定量分析,检出限达ppba量级。

多晶或单晶硅中间隙氧的定量分析,检出限达ppba量级。

全自动检测流程,自动分析数据、自动生成检测报告。

根据ASTM/SEMI MF1389标准,低温近红外光致发光(PL)实验可以用于单晶硅中浅层杂质(如硼、磷等)的定量分析。

我们将高灵敏度VERTEX 80 傅立叶变换光谱仪和专为硅材料低温光致发光实验 设计的低温恒温器相结合,实现了低检出限小于1ppta的超高检出水平。

根据 ASTM/SEMI MF1389标准,定量分析单晶硅中的硼、磷和铝含量。 用CVD方法制备的TCS(三氯硅烷)硅外延层也可进行PL实验,以实现TCS的质量控制。

多种附加功能,如自动控制恒温器制冷、专用的PL硅材料QC软件、标准建模样品和第二个激 发激光。

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