紫外光刻机
编者按：公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源的干式DUV和浸液式DUV。而浸液式DUV光刻，紫外光刻机，可以通过多次曝光获得7纳米节点的能力。本文梳理极紫外EUV光刻机代差，以及过去30年的光刻机发展代差。明确这些技术代差，有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式。
紫外光刻机（紫外光刻机股票）
在2022年6月底披露的资料中，IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点的规划，其中明确了两代EUV光刻技术代差：
1，2023-2026年，将以NA0.33EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14（14Å）节点；
2，紫外光刻机，2026-2032年，将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点。
很显然，这两次迭代，将使得摩尔定律被延长至2032年。
紫外光刻机股票
解决国内光刻机的技术瓶颈，是香港城市大学电机工程系教授蔡定平团队近期一项工作的研究初衷。其研发出一款新型真空紫外光超构透镜，可用于半导体制作、光化学、材料科学等，所产生的聚焦真空紫外光源，也能广泛用于微纳光刻等高端工业领域。未来延伸到更短波长之后，可用于光刻机。
▲图|左为陈沐谷博士、右为蔡定平教授（来源：课题组）
这款基于真空紫外光的新型非线性超构透镜，能同时产生和聚焦真空紫外光，直径为45微米。它可通过二次谐波产生过程，将波长394纳米的紫外光、转为波长197纳米的真空紫外光，并能将转换后的真空紫外光聚焦，紫外光刻机，聚焦之后的光斑直径小于200万分之1米。
（来源：ScienceAdvances）
极紫外光刻机
事情原本可以不必这样。政府措施影响业务的问题显然需要解决，但ASML本可以轻松地对这些措施不予理睬，并重申其对极紫外光刻机（EUV）出口管制的看法：如果中国（大陆）客户不能购买EUV设备，还有其他客户会买。如果说有什么影响的话，那就是政府推出的兴建晶圆厂的激励措施将带来更多的设备销量。
但与此相反的是，ASML首席执行官温彼得（PeterWennink）一直在不知疲倦地指出政治干预的后果，以及一两个前后矛盾的问题。温彼得上周在发布最新的季度和全年业绩时提到，他这么做不是为了指导决策，而是为了确保决策者在“摆弄”半导体供应链之前充分了解它的复杂性。“我们的角色是提供信息和见解，紫外光刻机，说明某些情况的后果。”他对一群记者说。
