荧光量子产率
最近对CsCu2I3的一项高压研究证实了这一推测，荧光量子产率，因为这种材料在压力下的结构演化导致了发光的显著增强和STE发射的变化。K2CuCl3和K2CuBr3的光致发光（PL）发射光谱在392nm和388nm处出现窄峰，半峰宽约为54nm。高达97%的光致发光量子产率（PLQY）证实了可见光的蓝光发射。此外，在200kVp，20mA的X射线照射下，K2CuCl3的辐射发光测量在404nm处产生一个明亮的峰值，这是与PMT和Si光电倍增管一起使用的最佳选择，这表明该体系在辐射检测应用方面具有强大的潜力。基于我们的实验和计算研究，K2CuX3的高效发光源于一维负离子[3]2―链中形成的高稳定性自陷激子（STE）。（文：爱新觉罗星）
荧光量子产率低说明什么
荧光发射位于900-1700nm（第二近红外窗口，荧光量子产率，NIR-II）的量子点由于活体组织对其光子的吸收和散射效应显著降低，在生物医学成像和近红外器件等方面得到了广泛的研究。设计和合成具有高荧光量子产率（PLQY）、可调的荧光发射发射和良好生物相容性的NIR-II量子点具有十分重要的意义，同时具有很高的挑战。近日，中科院苏州纳米所王强斌研究员课题组首次采用合金化方法合成了系列银金硒（AgAuSe）量子点，该量子点荧光光谱在820-1170nm可调，荧光量子产率，其中发射峰在978nm量子点的绝对PLQY高达65.3%，为目前报道的不含毒性重金属的NIR-II量子点PLQY的记录。相关成果发表于J.Am.Chem.Soc.（DOI:10.1021/jacs.0c13071）。
荧光量子产率计算公式
金属卤化物钙钛矿作为新一代的半导体材料，由于其色域广、带隙易于调节、发光半峰宽窄、易于制备等优势成为制备LED器件的明星材料。软晶格特性使得钙钛矿相较于传统的无机半导体对缺陷有更大的容忍性，这让钙钛矿成为可溶液法制备光电器件的理想材料。然而，软晶格也造成了钙钛矿对外部条件的敏感性加剧，如湿度和热。此外，软晶格会在钙钛矿结构中产生大量声子，造成严重的电声耦合。强烈的电声耦合会导致非辐射激子的猝灭和荧光量子产率的降低，使得器件无法在高温和高电流密度下工作。
针对以上问题，肖正国课题组采用含有不饱和键的4-乙烯基苯甲胺（VBA）作为有机阳离子通过固态聚合得到聚合物钙钛矿。这种聚合物钙钛矿的结构保持完好，并且表现出聚合物一样的特性，例如对湿度、热度的稳定性以及柔性。更有趣的是，聚合的有机胺部分使得钙钛矿的晶体刚性增加。增加的晶体刚性减弱了电声耦合作用，抑制了非辐射激子的复合速率，提高了电子/空穴的迁移率。得益于以上优点，基于二维聚合物钙钛矿的LED在室温下也展现出明亮的电致发光，并且基于准二维聚合物钙钛矿的LED的EQE最高可达23.2%，荧光量子产率，这是目前报道的钙钛矿LED在近红外区域的最高效率。
