铌酸锂晶体
什么是铌酸锂，铌酸锂晶体，它可以如何使用？铌酸锂是一种人工晶体，最早发现于1949年，但现在"又开始流行了"。铌酸锂在光子学--光的科学和技术--领域有新的用途，因为与其他材料不同，它可以产生和操纵从微波到紫外线频率的全光谱的电磁波。
铌酸锂晶体（铌酸锂晶体的电光效应）
硅是电子电路的首选材料，但它的局限性在光子学中已变得越来越明显。铌酸锂由于其卓越的能力而重新流行起来，制造方面的进展意味着它现在可以随时作为半导体晶圆上的薄膜使用。
一层比人的头发还要薄1000倍的铌酸锂可以被放在半导体晶圆上。光子电路被印在铌酸锂层中，根据芯片的预期用途进行定制。一个指甲大小的芯片可能包含数百个不同的电路。
Mitchell说，铌酸锂晶体，该团队正在与澳大利亚的AdvancedNavigation公司合作创建光学陀螺仪，其中激光在光纤线圈中以顺时针和逆时针方向发射。
铌酸锂晶体的电光效应
数十年来，研究人员一直在通过提高输入功率来寻求太赫兹频率下的高效非线性效应。然而，尽管铌酸锂晶体在可见光或近红外波段有极其出色的非线性特性，铌酸锂晶体，芯片级非线性晶体的太赫兹波非线性频率转换效率仍然很低。
为了有效增强太赫兹波非线性，该团队提出了非线性黄昆方程，以突出声子极化激元在增强太赫兹非线性效应中的独特作用。由于太赫兹波可以与大多数离子晶体中的光学声子共振，它们可以通过在晶体中激发所产生受激声子极化激元，从而直接将非线性极化场与离子极性联系起来。实验中，他们利用声子极化激元在铌酸锂芯片中实现了巨大的太赫兹非线性频率转换。太赫兹差频产生的非线性极化率达到10-6m/V左右，比之前的报道结果高出约5个数量级。
铌酸锂
1.二氧化碲（TeO2）及钼酸铝〔Al2(MoO4)3〕单晶生长工艺及基片的精加工技术2.超长（＞250mm）铌酸锂晶片的制作方法（1）长度＞280mm，直径＞40mm铌酸锂晶的生长技术（2）长度＞250mm，铌酸锂晶体，铌酸锂单晶片精加工技术3.长度＞180mm的硅酸铋（BSO）、锗酸铋（BGO）单晶生长工艺及晶片加工技术4.75-3水溶性光致抗蚀掩孔干膜制备工艺5.制造自泵浦相位共轭器（SPPCM）用钨青铜光析变单晶生长工艺6.铌酸钾（KNbO3）晶体的原料处理技术和生长工艺7.磷酸氧钛钾（KTP）晶体生长控制技术8.具有下列性能的抗辐射人造水晶生长工艺（1）品质因数（Q）值≥3×106（2）包裹体级别不低于IECI（国际电工技术委员会）的A级（3）铝（Al）含量≤1ppm（4）腐蚀隧道密度≤10条/cm29.稀土－铁（Tb-Dy-Fe系）超磁致伸缩单晶材料的制备技术10.四硼酸锂、三硼酸锂（LBO）晶体的生长工艺11.掺钕硼酸铝钇（NYAB）晶体的生长工艺12.钛酸钡锶（SBT）晶体的生长工艺13.偏硼酸钡（BBO）晶体的生长工艺14.硼铍酸锶（SBBO）晶体的生长工艺15.KBBF晶体生长与棱镜耦合器件加工技术16.硅酸钇镥（LYSO）晶体生长工艺17.溴化镧（LaBr3:Ce）晶体生长工艺
