电光调制器（声光调制器）-鼎商环保网

内容摘要：电光调制器（声光调制器）电光调制器是利用某些电光晶体，如铌酸锂晶体和钽酸锂晶体的电光效应制成的调制器，晶体在外加电场的作用下，折射率随之发生变化，引起该晶体的光波特性发生变化，从而实现对光信

老铁们，大家好，相信还有很多朋友对于电光调制器和声光调制器的相关问题不太懂，没关系，今天就由我来为大家分享分享电光调制器以及声光调制器的问题，文章篇幅可能偏长，希望可以帮助到大家，下面一起来看看吧！

本文主要内容一览

1、为什么热释电原件需要用光调制器
2、焊接材料制造需要铌酸锂吗
3、电光调制器重叠因子
4、在纵向电光强度调制器中光路加入四分之一玻片的作用为什么是获得线性调制效
5、35050电光调制器的频率是多少
6、电光调制器带宽大的原因

电光调制器（声光调制器）

1为什么热释电原件需要用光调制器

在外加电场的作用下，晶体的折射率光吸收和光散射特性发生了变化，由此而产生的效应称为电光效应.当晶体折射率的改变与所加电场成正比时，即电场的一次项，这种电光效应称为线性电光效应，由Pokels于 1893年发现，也称为Pokels效应，一般发生于无对称中心晶体中，该效应是电光调制的基础。当晶体折射率的改变与所加电场强度的平方成正比时，即电场的二次项，这种电光效应由Kerr在 1875年发现，称为二次电光效应或称为Kerr电光效应，二次电光效应存在于一切晶体中。对LiNbO3晶体来说，线性电光效应比二次电光效应显著的多，因此调制器主要利用其线性电光效应进行调制。

电光调制器（声光调制器）

2焊接材料制造需要铌酸锂吗

铌酸锂晶体它的历史比较悠久，物理效应最为齐全，被用于制备声学滤波器,谐振器,延迟线,电光调制器,电光调Q开关,相位调制器等器件,在激光技术等领域得到了广泛应用,在第五代无线通信技术,微纳光子学,集成光子学及量子光学等近期快速发展的领域中展示了重要的应用前景.本文光宝光电综述了铌酸锂晶体的用途及它的生产方法进行了简要的分析。

3电光调制器重叠因子

共面波导。电光调制器是光纤通信系统中的关键器件之一，共面波导、微带线、重叠因子。电光调制器的基础是电光效应。

4在纵向电光强度调制器中光路加入四分之一玻片的作用为什么是获得线性调制效

在纵向电光强度调制器里，光路中加入l/4波片的作用是获得线性调制效。减少半波电压获得线性调制效果消除自然双折射引起的相位延迟减小光功率损耗

535050电光调制器的频率是多少

电光调制器的性能主要由几个参数决定，相对而言，插损，半波电压，带宽和消光比是最常见的，也是最经常问到的问题，本章节将介绍电光调制器常见参数的测量方法。

1.1 插损 (Insertion loss-IL)

调制器的损耗是由于光纤和波导耦合，光在波导的传输过程等造成的光强衰减。对于强度调制器，需要通过调节调制器的DC偏压(Pin 1

接下来的部分描述关于带光纤接头的电光强度调制器的测量：

参考光功率的测量(Pref):

强度调制器最大输出功率测量 (Pout):

（偏压控制器：DC偏压被设置到最大输出功率的点）

备注：该测量包含因光纤接头错位及配合法兰匹配问题所带来的不确定性。

鉴于每个器件（接头、法兰）的质量、兼容性，我们估计的大致光损耗如下：

FC/APC @1550 nm: IL ≤ 0.25 dB每个接头

FC/APC @1060 nm: IL ≤ 0.4 dB每个接头

FC/APC @850 nm: IL ≤ 0.5 dB每个接头

1.2静态消光比(Static Extinction Ratio - SER)

静态消光比仅仅适用用强度调制器，而非相位调制器。其被定义为，在无外接射频RF电信号的时候，强度调制器输出光的ON-(or Max)状态和OFF-(or Min)状态之间的最大动态范围。通过调节调制器的DC偏压(Pin 1

强度调制器的传输曲线

静态消光比

调制器最大输出功率测量 (Pmax): Pmax在功率计上被设置为参考点，方便后面测量

（偏压控制器：DC偏压被设置到最大和最小输出功率的点）

备注：用于调节Pmin的DC电压是可正可负。我们建议选择最接近光功率为零的那个Min点作为参考（以便最大程度的降低DC漂移）。如下图，0V左右两边各有一个Min点，左边Min点所对应的optical power数值更接近零。

强度调制器传输曲线

1.3动态消光比(DER-Dynamic Extinction Ratio)

动态消光比的测量需要接入射频RF电信号在调制器的射频端口，并且DC偏压设置在所做应用的合适工作点上(通常Quad+,Quad-,Min，详见调制器的偏压控制文章)。所以，动态消光比是和最终应用相关的。例如数字调制方式(10Gb/s，通过MX-LN-10调制)，如下图，通过PRBS产生射频电信号，偏压控制在Quad点上，通过高速示波器，我们测量的眼图最高和最低水平的比值-动态消光比是18.6dB（见示波器测量数值Ext. Ratio）。

没有特殊的物理原因解释为什么动态消光比和静态消光比不一样。但是，动态消光比通常测量的要比静态消光比低一些。我们的简单解释是，动态消光比测试中由于引入了射频信号，射频放大器，高速探测器和示波器等更多器件和设备，这些额外的噪声会导致动态消光比的略低。

1.4半波电压(Vπ)

通常有两种半波电压的定义：直流偏压的半波电压VπDC和射频半波电压VπRF，下面将分别介绍。

1.4.1直流偏压的半波电压VπDC的测量(DC偏压端口)

直流偏压的半波电压VπDC仅仅适用于强度调制器，而非相位调制器（无偏压接口）。VπDC是电光调制器，通过DC偏压调节，传输的光波引入一个相移所需的电压。对于强度调制器，即M-Z干涉仪，半波电压(Vπ)对应为将光输出功率从最大Pmax改变为最小Pmin时的DC偏压值，(参考调制器的传输曲线MTF)，其测量方法同前面静态消光比的测量，只不过此时记录电压值的差值。

强度调制器传输曲线

1.4.2射频半波电压VπRF的测量(RF射频端口)

射频半波电压V RF是射频信号源的电压注入RF射频端口，输出的光波一个相移所需的电压。对于强度调制器，该电压需将光输出功率从为最小Pmin(OFF状态)调制到最大Pmax(ON状态)。对于数字调制，如前面眼图，眼图的张开(强度)的大小是通过改变射频驱动电压的大小而优化得到最好的动态消光比，此时注入调制器的射频电压称为射频半波电压VπRF。

1.4.2.1强度调制器

1.4.2.2相位调制器

对于相位调制器测量VπRF，必须将相位的变化转变为强度的变化。这有很多方法：其一包括45度入射相位调制器波导（偏振波导APE工艺不适用，通常iXblue 1um及其以下波长调制器为偏振波导），建议一个干涉仪系统。其二可通过在一路光路中加入相位调制器，建议法布里-珀罗干涉仪。更多方法，请参考我们应用指南”相位调制器带宽测试”应用指南。

1.5电回损S11（Electrical return loss）及电光带宽S21（electro-optical bandwidth）

S11是电回损，定义为射频电信号从调制器RF端口反射会信号源的比例(dB表示)。S21定义为注入调制器射频端口的电信号-3dB高频截至带宽。调制器的RF射频端的高频效率通常由电回损和电光带宽决定，用高速仪器比如光电探测器和矢量网络分析仪可测量出这些参数。强度调制器需要设置在正确的直流偏压点，并且输入射频弱信号(S11一般0dBm数量级，S21一般-15dBm数量级)，S11需要记录它在整个频率段的最大数值，S21测量时网络分析仪和高速光探测器需要被校准和去嵌，以确保测量出的电光带宽仅仅是调制器本身的。

Electro-optical bandwith (S11)

Electro-optical bandwith (S21)

特殊说明：调制器的带宽我们定义为-3dB带宽高频截止频率，此截至带宽并非指完全截止，超过此频率就无法使用。而是射频驱动功率加载到调制器时，衰减一半功率的频率点，超过-3dB带宽，调制器任然可以使用，仅仅是射频衰减更高，调制效果变差。有些产品也会定义-6dB带宽，或者可用带宽(usable band width)等参数。

iXblue厂家命名方式及其-3dB带宽：

-10: 10GHz,甚至14GHz

-20: 18GHz

-40: 28GHz

其他一些特殊指标，比如，偏振相关损耗（Polarization Dependent Loss – PDL）,偏振消光比（Polarization Extinction Ratio – PER）,剩余强度调制（Residual Amplitude Modulation – RAM）等请联系苏州波弗光电科技有限公司提供相应资料，感谢您对iXblue产品的信任和支持。

苏州波弗光电科技有限公司是法国iXblue公司中国区的授权代理商，负责ixblue电光调制器产品、光纤、参考发射机（ModBox）等产品国内的售前、销售、售后服务工作，同时波弗光电拥有大部分iXblue电光调制器、射频放大驱动器、偏压控制器现货产品，有需要的用户请联系苏州波弗光电科技有限公司。